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Freddie Williams and Tom Kilburn Revolutionize Technology with the Invention of the Williams Tube

时间:2024-09-13 08:42:40

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威廉姆斯管(英语:Williams tube),全称威廉姆斯-基尔伯恩管(英语:Williams-Kilburn tube),一种由阴极射线管(CRT)构成的储存装置。名称源自开发者弗雷迪·威廉姆斯(Freddie Williams)与汤姆·基尔伯恩(Tom Kilburn)。

Freddie Williams和Tom Kilburn于1947年发明了威廉姆斯管

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威廉姆斯管是第一台随机存取数字存储设备,已成功用于几台早期计算机中。
工作原理是电子在撞击阴极射线管的荧光面时发光。作为伴生现象,撞击部位周围的电荷将发生细微变化。阴极射线管可以用作储存装置,正是通过测定这一变化而实现的。由于电荷会迅速消失,运行时必须反复进行电子撞击。

Freddie Williams和Tom Kilburn于1947年发明了威廉姆斯管

威廉姆斯管是在英格兰曼彻斯特大学开发的,它提供了在曼彻斯特计算机中实现第一个电子存储程序的媒介,该程序于1948年6月21日成功运行了一个程序。

汤姆·基尔本(Tom Kilburn)编写了一个17行程序,用于计算2 18的最高固有系数。大学的传统认为,这是Kilburn编写的唯一程序。

威廉姆斯管会随着年龄的增长而变得不可靠,大多数工作装置都必须手动“调整”。相比之下,汞延迟线存储器速度较慢,并不是真正的随机访问,因为这些位是串行提供的,这使编程变得复杂。

延迟线也需要手动调节,但老化时间不那么差,尽管它们存在数据速率,重量,成本,散热和毒性问题,但在早期数字电子计算中仍取得了一些成功。但是,使用威廉姆斯管的曼彻斯特马克1号成功地商业化为费兰蒂马克1号。美国的一些早期计算机也使用Williams管,包括IAS机器(最初是为Selectron管存储器设计的),UNIVAC 1103,ibm 701,ibm 702和标准西方自动计算机(SWAC)。威廉姆斯管还用于苏联的Strela-1和日本的TAC(东京自动计算机)中。

PNY(必恩威)于2020年8月发售容量达到1TB的microSDXC存储卡

PNY(必恩威)发售于2020年8月,,容量达到1TB,满足A2标准。新卡隶属于Pro Elite系列,采用UHS-I介质面,读速最高100MB/s、写速最高90MB/s,也就是达到UHS-I极致。

PNY(必恩威)于2020年8月发售容量达到1TB的microSDXC存储卡

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可做对比的是,上一代1TB microSDXC的写速只有60MB/s。A2标准则意味着,至少4000 IOPS的随机读速和2000 IOPS的随机写速。

PNY(必恩威)于2020年8月发售容量达到1TB的microSDXC存储卡

新卡还支持Video Speed Class V30标准,也就是最低写速也在30MB/s以上,从而确保录制4K、8K和360度全景视频时的体验。

1TB的容量也意味着,你可以存储超过18万张2000万像素照片或者21小时的4K 60P视频素材。

价格不便宜,售价高达229.99美元(约合1580元),比同容量的M.2 SSD都要贵。

JEDEC固态存储协会于2020年7月15日正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范

2020年7月15日,JEDEC固态技术协会正式发布了DDR5 SDRAM标准(JESD79-5)。 。DDR5是DDR标准的最新迭代,DDR5再次扩展了DDR内存的功能,将峰值内存速度提高了一倍,同时也大大增加了内存容量。基于新标准的硬件预计将于2021年推出,先从服务器层面开始采用,之后再逐步推广到消费者PC和其他设备。

JEDEC固态存储协会于2020年7月15日正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范

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DDR5是DDR标准的最新迭代,DDR5再次扩展了DDR内存的功能,将峰值内存速度提高了一倍,同时也大大增加了内存容量。基于新标准的硬件预计将于2021年推出,先从服务器层面开始采用,之后再逐步推广到消费者PC和其他设备。

JEDEC固态存储协会于2020年7月15日正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范

容量和密度:

DDR5将允许单个内存芯片的密度达到64Gbit,比DDR4的16Gbit密度最大值高出4倍。再加上Die堆叠,最多允许8个Die堆叠为一个芯片,那么40个元件的LRDIMM可以达到2TB的有效内存容量。或者对于更简陋的无缓冲DIMM来说,这将意味着最终会看到DIMM容量达到128GB的典型双列配置。

双通道:

DDR5将不是每个DIMM提供一个64位数据通道,而是每个DIMM提供两个独立的32位数据通道(如果考虑ECC因素,则为40位)。同时,每个通道的突发长度从8个字节(BL8)翻倍到16个字节(BL16),这意味着每个通道每次操作将提供64个字节。那么,与DDR4 DIMM相比,DDR5 DIMM以两倍的额定内存速度(核心速度相同)运行,将在DDR4 DIMM提供的操作时间内提供两个64字节的操作,使有效带宽增加一倍。

决策反馈均衡(DFE):

DFE是一种通过使用内存总线接收器的反馈来提供更好的均衡,从而降低符号间干扰的手段。而更好的均衡,又可以让DDR5的内存总线以更高的传输速率运行所需的更干净的信令,而不至于发生故障。同时,标准中的一些较小的变化也进一步帮助了这一点,例如增加了新的和改进的训练模式,以帮助DIMM和控制器补偿内存总线上的微小时序差异。

Kingston于2013年1月发布了首款1 TB的USB闪存盘

2013年1月,Kingston发布了首款1 TB的USB闪存盘。

Kingston于2013年1月发布了首款1 TB的USB闪存盘

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金士顿科技(Kingston)——全球内存领导厂商,成立于1987年。从开始的单一产品的生产者,金士顿发展到现在拥有2000多种储存产品,支持计算机、服务器和打印机到MP3播放器、数字相机和手机等几乎所有的使用储存产品的设备。

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