时间:2024-09-24 23:35:30
人气:2
编辑:96006资源网
8月7日消息,三星电子的第五代8层HBM3E存储解决方案近日成功完成了英伟达人工智能处理器的兼容性测试,标志着双方在高端计算技术上的合作又迈出了重要一步,为即将到来的高性能计算应用提供了强力支持。
知情人士表示,三星和英伟达尚未签署已获批的 8 层 HBM3E 芯片的供应协议,但很快就会达成协议,预计将在 2024 年第四季度开始供应。然而,三星的 12 层 HBM3E 芯片版本尚未通过英伟达的测试。
此次通过测试对于全球最大内存芯片制造商三星来说是一个重大突破。此前,三星在供应能够处理生成式 AI 工作的高级内存芯片的竞争中一直落后于其本土竞争对手 SK 海力士。
HBM 是一种动态随机存取内存(DRAM)标准,最早于 2013 年生产,通过垂直堆叠芯片来节省空间并降低功耗。作为 AI 图形处理器(GPU)的关键组件,其有助于处理复杂应用程序产生的海量数据。
随着生成式 AI 热潮引发的对高端 GPU 的旺盛需求,英伟达和其他 AI 芯片制造商都在努力满足市场需求,三星最新 HBM 芯片获得英伟达的批准正值此时。
研究机构 TrendForce 表示,HBM3E 芯片今年可能成为主流 HBM 产品,出货集中在下半年。行业龙头 SK 海力士预计,整个 HBM 内存芯片的需求到 2027 年可能以每年 82% 的速度增长。
三星 7 月预测,HBM3E 芯片将在第四季度占其 HBM 芯片销售额的 60%,许多分析师认为,如果其最新的 HBM 芯片能在第三季度通过英伟达的最终批准,这一目标可能会实现。
三星不提供特定芯片产品的收入细分。据路透社对 15 位分析师的调查,三星今年上半年 DRAM 芯片总收入为 22.5 万亿韩元(当前约 1176.3 亿元人民币),其中约 10% 可能来自 HBM 销售。
HBM 的主要制造商只有三个:SK 海力士、美光和三星。SK 海力士一直是英伟达的主要 HBM 芯片供应商,并于 3 月下旬向未透露身份的客户供应了 HBM3E 芯片。消息人士此前表示,这些芯片供应给了英伟达。美光也表示将向英伟达供应 HBM3E 芯片。
7月31日消息,三星电子遭遇新挑战,其V9 NAND闪存QLC版本的量产审批尚未通过,这直接影响了平泽P4工厂生产线的升级计划,为存储市场的供应格局增添不确定性。
三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产,对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。
然而直到现在,三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA(应指 Production Readiness Approval)量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。
明星产品前景不明,使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。
根据三星电子此前的规划,平泽 P4 工厂将成为一个综合性的半导体生产中心,其包含四个阶段,可制造逻辑、NAND、DRAM 等产品,
其中 P4 工厂的第一阶段用于 NAND 生产、第二阶段用于逻辑代工、第三和第四阶段用于 DRAM 制造。
不过由于晶圆代工订单数量不足,而以 HBM 为代表的 DRAM 内存产品需求火爆,三星电子已于上半年调整了平泽 P4 工厂投资计划,先行建设 DRAM 内存产线,延后逻辑代工线建设。
三星电子目前在平泽 P4 工厂第一阶段的 NAND 产能为每月 10000 片晶圆,此前提出了到明年将月度晶圆投片量提升至 45000 片的目标。
但 V9 QLC NAND 并未及时得到量产许可,导致有内部人士认为应该将第一阶段的部分建设面积用于前景更明确的 DRAM 生产。
8月20日消息,最新披露的三星Galaxy S25 Ultra手机电池信息显示,通过了工信部3C认证,其电池额定容量维持在4885mAh,市场宣传时预计将以5000mAh的容量面向消费者,细微的差异旨在优化营销策略,而不影响实际使用体验。
在充电方面,3C 认证信息显示充电限制电压:4.47V,标称电压:3.88V,额定能量:18.84Wh,表明三星 Galaxy S25 Ultra 手机最高支持 45W。
曾于 7 月 31 日报道,三星 Galaxy S25 Ultra 手机电池现身 Safety Korea 认证网站,显示型号为 EB-BS938ABY 和 EB-BS938ABE,暂不清楚两个型号有何不同。
认证网站并未披露两款电池型号的容量信息,不过显示均由中国宁德新能源科技(Ningde Amperex Technology)生产。
三星 Galaxy S24 系列手机电池共有 3 大供应商,分别为宁德新能源科技、三星 SDI 和 ELENTEC,而本次曝光工信部的是三星 SDI 和 ELENTEC 印度两家公司。
7月30日消息,一位消息人士在X平台发布推文,提前曝光了三星One UI 7中时钟应用的更新细节。对于急于体验新功能的用户来说,相关的APK安装文件已贴心地上传至ApkMirror,大家可自行下载,抢先感受三星One UI 7带来的时钟应用新体验。
根据消息源分享的应用截图,三星 One UI 7 时钟应用在视觉方面有较大调整,官方为底部的时钟、世界时钟、计时器和秒表带来了全新的图标。
注:本次曝光的 APK 文件为 One UI 7 时钟应用早期测试版本,可能会存在一些错误,安装需要谨慎。
另外值得注意的是卸载后,需要从 Play Store 或者三星应用商店重新下载安装,导致重置所有闹钟和其他自定义设置。
字节火山引擎总裁谭待:大模型成本回归理性,昔日高价不再
英特尔重申:马来西亚槟城高端封装工厂建设计划进展稳健
大小: 36.80MB
大小: 0KB
影音播放
大小: 76.19MB
角色扮演
大小: 939.52MB
大小: 23.61MB
社交通讯
大小: 263.95MB
大小: 112.49MB
大小: 115.58MB
大小: 77.16MB
大小: 47.29MB
体育健身
大小: 32.03MB
地图导航
大小: 75.65MB
超车大师3D游戏
悦玩网络爆装传奇
闲置屠宰公司v1.1.66
升级加农炮
尸灵出笼
西部荒野幸存者
动作
格斗
街机
三星8层HBM3E存储芯片成功闯关英伟达测试,预计Q4启动供货
时间:2024-09-24 23:35:30
人气:2
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8月7日消息,三星电子的第五代8层HBM3E存储解决方案近日成功完成了英伟达人工智能处理器的兼容性测试,标志着双方在高端计算技术上的合作又迈出了重要一步,为即将到来的高性能计算应用提供了强力支持。
知情人士表示,三星和英伟达尚未签署已获批的 8 层 HBM3E 芯片的供应协议,但很快就会达成协议,预计将在 2024 年第四季度开始供应。然而,三星的 12 层 HBM3E 芯片版本尚未通过英伟达的测试。
此次通过测试对于全球最大内存芯片制造商三星来说是一个重大突破。此前,三星在供应能够处理生成式 AI 工作的高级内存芯片的竞争中一直落后于其本土竞争对手 SK 海力士。
HBM 是一种动态随机存取内存(DRAM)标准,最早于 2013 年生产,通过垂直堆叠芯片来节省空间并降低功耗。作为 AI 图形处理器(GPU)的关键组件,其有助于处理复杂应用程序产生的海量数据。
随着生成式 AI 热潮引发的对高端 GPU 的旺盛需求,英伟达和其他 AI 芯片制造商都在努力满足市场需求,三星最新 HBM 芯片获得英伟达的批准正值此时。
研究机构 TrendForce 表示,HBM3E 芯片今年可能成为主流 HBM 产品,出货集中在下半年。行业龙头 SK 海力士预计,整个 HBM 内存芯片的需求到 2027 年可能以每年 82% 的速度增长。
三星 7 月预测,HBM3E 芯片将在第四季度占其 HBM 芯片销售额的 60%,许多分析师认为,如果其最新的 HBM 芯片能在第三季度通过英伟达的最终批准,这一目标可能会实现。
三星不提供特定芯片产品的收入细分。据路透社对 15 位分析师的调查,三星今年上半年 DRAM 芯片总收入为 22.5 万亿韩元(当前约 1176.3 亿元人民币),其中约 10% 可能来自 HBM 销售。
HBM 的主要制造商只有三个:SK 海力士、美光和三星。SK 海力士一直是英伟达的主要 HBM 芯片供应商,并于 3 月下旬向未透露身份的客户供应了 HBM3E 芯片。消息人士此前表示,这些芯片供应给了英伟达。美光也表示将向英伟达供应 HBM3E 芯片。
三星电子V9 QLC NAND闪存面临挑战:未达量产标准,平泽P4工厂计划受阻
7月31日消息,三星电子遭遇新挑战,其V9 NAND闪存QLC版本的量产审批尚未通过,这直接影响了平泽P4工厂生产线的升级计划,为存储市场的供应格局增添不确定性。
三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产,对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。
然而直到现在,三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA(应指 Production Readiness Approval)量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。
明星产品前景不明,使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。
根据三星电子此前的规划,平泽 P4 工厂将成为一个综合性的半导体生产中心,其包含四个阶段,可制造逻辑、NAND、DRAM 等产品,
其中 P4 工厂的第一阶段用于 NAND 生产、第二阶段用于逻辑代工、第三和第四阶段用于 DRAM 制造。
不过由于晶圆代工订单数量不足,而以 HBM 为代表的 DRAM 内存产品需求火爆,三星电子已于上半年调整了平泽 P4 工厂投资计划,先行建设 DRAM 内存产线,延后逻辑代工线建设。
三星电子目前在平泽 P4 工厂第一阶段的 NAND 产能为每月 10000 片晶圆,此前提出了到明年将月度晶圆投片量提升至 45000 片的目标。
但 V9 QLC NAND 并未及时得到量产许可,导致有内部人士认为应该将第一阶段的部分建设面积用于前景更明确的 DRAM 生产。
三星Galaxy S25 Ultra电池详情揭晓:4885mAh大容量,支持45W高速充电
8月20日消息,最新披露的三星Galaxy S25 Ultra手机电池信息显示,通过了工信部3C认证,其电池额定容量维持在4885mAh,市场宣传时预计将以5000mAh的容量面向消费者,细微的差异旨在优化营销策略,而不影响实际使用体验。
在充电方面,3C 认证信息显示充电限制电压:4.47V,标称电压:3.88V,额定能量:18.84Wh,表明三星 Galaxy S25 Ultra 手机最高支持 45W。
曾于 7 月 31 日报道,三星 Galaxy S25 Ultra 手机电池现身 Safety Korea 认证网站,显示型号为 EB-BS938ABY 和 EB-BS938ABE,暂不清楚两个型号有何不同。
认证网站并未披露两款电池型号的容量信息,不过显示均由中国宁德新能源科技(Ningde Amperex Technology)生产。
三星 Galaxy S24 系列手机电池共有 3 大供应商,分别为宁德新能源科技、三星 SDI 和 ELENTEC,而本次曝光工信部的是三星 SDI 和 ELENTEC 印度两家公司。
三星One UI 7时钟APP新特性泄露:图标与细节优化升级,加入多款小部件选项
7月30日消息,一位消息人士在X平台发布推文,提前曝光了三星One UI 7中时钟应用的更新细节。对于急于体验新功能的用户来说,相关的APK安装文件已贴心地上传至ApkMirror,大家可自行下载,抢先感受三星One UI 7带来的时钟应用新体验。
根据消息源分享的应用截图,三星 One UI 7 时钟应用在视觉方面有较大调整,官方为底部的时钟、世界时钟、计时器和秒表带来了全新的图标。
注:本次曝光的 APK 文件为 One UI 7 时钟应用早期测试版本,可能会存在一些错误,安装需要谨慎。
另外值得注意的是卸载后,需要从 Play Store 或者三星应用商店重新下载安装,导致重置所有闹钟和其他自定义设置。
字节火山引擎总裁谭待:大模型成本回归理性,昔日高价不再
英特尔重申:马来西亚槟城高端封装工厂建设计划进展稳健
大小: 36.80MB
大小: 0KB
影音播放
大小: 76.19MB
角色扮演
大小: 939.52MB
大小: 23.61MB
社交通讯
大小: 263.95MB
社交通讯
大小: 112.49MB
大小: 115.58MB
影音播放
大小: 77.16MB
影音播放
大小: 47.29MB
体育健身
大小: 32.03MB
地图导航
大小: 75.65MB
超车大师3D游戏
悦玩网络爆装传奇
闲置屠宰公司v1.1.66
升级加农炮
尸灵出笼
西部荒野幸存者
动作
格斗
街机