三星电子突破内存封装技术，量产全球最薄LPDDR5X：厚度骤减9%，树立行业新标杆

8月6日消息，三星电子于今日宣布其已开始批量生产目前业内最薄的LPDDR5X内存封装产品，该内存的封装厚度仅为0.65毫米，相比前代0.71毫米的规格减少了约9%，与此同时，其耐热性能也实现了21.2%的提升，这一进步彰显了三星在内存技术领域的持续创新与领先地位。

三星电子本次推出的 LPDDR5X 内存封装基于 12nm 级 LPDDR DRAM，采用了 4 堆栈、每堆栈 2 层的结构设计，提供 12GB、16GB 两种容量版本。

在制造该内存封装的过程中，三星电子优化了 PCB 和环氧树脂模塑料（Epoxy Molding Compound，简称 EMC）技术，并结合了晶圆背面研磨工艺，使其成为最薄的 12GB 及以上容量 LPDDR DRAM 模组。

更低的封装高度，加上更优异的耐热能力，可为移动设备提供更多通风空间，进而提升设备整体的散热效果，最终在高负载的设备端生成式 AI 应用中实现更佳表现。

三星电子内存产品规划执行副总裁 Bae YongCheol 表示：

三星的 LPDDR5X DRAM 为高性能设备端 AI 解决方案树立了新标准，不仅提供了卓越的 LPDDR 性能，还在超紧凑封装中实现了先进的热管理。我们致力于通过与客户的密切合作不断创新，提供满足 LP DRAM 市场未来需求的解决方案。

三星电子计划未来将超薄型 LPDDR DRAM 内存封装扩展到 6 堆栈 24GB、8 堆栈 32GB 的模组上来。

三星电子V9 QLC NAND闪存面临挑战：未达量产标准，平泽P4工厂计划受阻

7月31日消息，三星电子遭遇新挑战，其V9 NAND闪存QLC版本的量产审批尚未通过，这直接影响了平泽P4工厂生产线的升级计划，为存储市场的供应格局增添不确定性。

三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产，对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。

然而直到现在，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。

明星产品前景不明，使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。

根据三星电子此前的规划，平泽 P4 工厂将成为一个综合性的半导体生产中心，其包含四个阶段，可制造逻辑、NAND、DRAM 等产品，

其中 P4 工厂的第一阶段用于 NAND 生产、第二阶段用于逻辑代工、第三和第四阶段用于 DRAM 制造。

不过由于晶圆代工订单数量不足，而以 HBM 为代表的 DRAM 内存产品需求火爆，三星电子已于上半年调整了平泽 P4 工厂投资计划，先行建设 DRAM 内存产线，延后逻辑代工线建设。

三星电子目前在平泽 P4 工厂第一阶段的 NAND 产能为每月 10000 片晶圆，此前提出了到明年将月度晶圆投片量提升至 45000 片的目标。

但 V9 QLC NAND 并未及时得到量产许可，导致有内部人士认为应该将第一阶段的部分建设面积用于前景更明确的 DRAM 生产。

三星Exynos 2500：历经磨砺终现锋芒，3.20GHz ES芯片效能反超苹果A15

近日消息，三星Exynos 2500芯片的研发进程经历了一系列挑战和转折，最新消息为这款备受瞩目的处理器带来了新的希望。早前，由于三星的3nm GAA（Gate-All-Around）工艺良率问题，Exynos 2500芯片的生产遇到了阻碍，一度让人担忧其是否能如期供应给即将到来的Galaxy S25系列手机，从而影响到该系列手机的首发稳定性和市场表现。

爆料人士透露，三星 Exynos 2500 最近取得了突破性进展，至少目前流片的工程样品已经达到了 3.20GHz 高频，同时比苹果 A15 Bionic 更省电，将成为“迄今为止效率最高的芯片”。

注：苹果 A15 Bionic 发布于三年前，并且仅采用台积电 5nm 工艺量产，集成了近 150 亿颗晶体管，采用 6 核心设计（2 个大核 + 4 个小核）以及 16 核神经引擎。

三星电子为 Exynos 2500 芯片量产定下的最晚时间是今年年底，因此在 9~10 月前三星 LSI 部门还有一段时间进一步优化设计方案。

此前有大量报道称三星 3nm GAA 工艺良率仅 20%，不过三星本月初对此做出了保证，称其 3nm GAA 工艺良率和性能稳定，且产量已步入正轨。