SK海力士推进中国无锡半导体工厂转型，启用第四代10纳米工艺提升产能

据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。

SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

这一举动被视为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为自2019年以来，美国为阻止中国半导体产业崛起，单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。

媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。

SK海力士NAND业务分支Solidigm据传筹备美国IPO，上市计划浮出水面

7月29日消息，SK海力士透露，其正在探讨将其NAND闪存及固态硬盘的子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）的可能性，此举或将增强Solidigm在全球存储市场的竞争力和独立发展能力。

SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。

由于内外部因素的共同影响，Solidigm 成立后不久就陷入了连年亏损，从 2021 年二季度开始 12 个季度净利润为负值。

不过近来由于 AI 推理等服务器需求的迅速增长，在企业级固态硬盘上具有领先地位的 Solidigm 业绩也逐渐转好，继在今年一季度实现正营业利润后，今年二季度净利润也回归正数。

韩媒表示，Solidigm 是屈指可数的几家能提供超大容量（64TB 级）QLC 企业级固态硬盘的企业之一。亚马逊、谷歌、戴尔等巨头争相向 Solidigm 下达订单，以期在竞争对手之前获得硬盘供应。

此外 SK 海力士与 Solidigm 还计划在明年初推出 128TB 原始容量的企业级固态硬盘，256TB 的产品也在准备中。

为了应对持续增加的企业级需求，Solidigm 迫切需要获得扩张业务的资金；另一方面，SK 海力士即将在 2025 年 3 月向英特尔支付收购案第二阶段的 20 亿美元（当前约 145.36 亿元人民币）价款，也需要回笼部分资金。

在此背景下，SK 集团内部高管提出了推动 Solidigm 在美国上市的计划。韩媒估计，Solidigm 的市值有望达到 20 万亿~30 万亿韩元（当前约 1048.6 亿~1572.9 亿元人民币）。

Wedbush 分析师马特·布赖森 (Matt Bryson) 表示：

我们认为这一消息是可信的，因为 SK 海力士以前就有将 Solidigm 分离出去的计划，该公司最近的复苏使这一选择变得更加可行。

我们认为，SK 海力士的这一努力能否取得成功，将取决于新组织的分拆方式（例如，Solidigm 内部包括哪些资产，SK 海力士保留哪些资产），以及海力士 / Solidigm 如何讨论未来的技术计划。

特别是考虑到大连 NAND 的现有路线图 —— 包括 QLC 部件，这些部件使 Solidigm 最近在大容量企业级固态硬盘方面取得了成功 —— 似乎在 196 层就结束了。

SK海力士副社长展望：存储控制器2至3年内采用Chiplet技术革新

8月27日消息，SK海力士副总裁文起一在最近的学术会议中发表前瞻性见解，预示着Chiplet芯粒技术预计在未来2至3年内，将实质性地融入DRAM和NAND存储产品的开发之中，这一论断引起了业界的广泛关注，标志着存储技术即将迎来又一革新阶段。

并非所有存储产品控制器功能都需要使用先进工艺，采用 Chiplet 设计可将对工艺要求较低的功能模块剥离到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影响功能实现的同时大幅降低成本。

SK 海力士正在内部开发 Chiplet 技术，该企业不仅加入了 UCIe 产业联盟，也已于 2023 年在全球范围内申请注册了用于 Chiplet 技术的 MOSAIC 商标。

文起一在本次会议上还表示，用于连接 HBM 内存各层裸片的新兴工艺混合键合目前面临诸多挑战，但该工艺仍将是未来方向。

混合键合对 CMP（化学机械抛光）加工步骤提出了更高精细度要求；此外封装加工引起的碎屑污染问题也对 HBM 内存的良率造成明显影响。