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IBM公司研发出革命性技术:GMR巨磁阻效应磁头所取得的突破性进展!

时间:2024-08-08 12:18:28

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编辑:96006资源网

在1997年时,GMR巨磁阻效应磁头诞生了。新磁头相比MR磁头而言更加敏感,如果说用MR磁头能够达到3~5Gb/inch2的存储密度,那么使用GMR之后,存储密度可以达到10~40Gb/inch2,相对于以前提高了8倍之多,硬盘的储存密度又一次上升。

IBM公司于1997年开发了划时代的新技术“GMR巨磁阻效应磁头”技术

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在1997年时,另一项划时代的技术诞生了,那就是GMR巨磁阻效应磁头。新磁头相比MR磁头而言更加敏感,如果说用MR磁头能够达到3~5 Gb/inch2的存储密度,那么使用GMR之后,存储密度可以达到10~40Gb/inch2,相对于以前提高了8倍之多,这使硬盘的存储密度又上了一个台阶。

IBM公司于1997年开发了划时代的新技术“GMR巨磁阻效应磁头”技术

不过,由于现有的硬盘区域密度达到了相当高的水平,进一步的发展受到了超顺磁效应限制,要继续推动硬盘技术的发展,需要引入新的技术。

三星电子成功实现SSD商业化

2006年,三星电子实现了SSD商业化。 过去一直由HDD(Hard Disk Drive)带动的PC存储设备开始了新的时代。三星电子凭借其创新的NAND闪存技术,推动了存储介质的模式转变

三星电子于2006年实现了SSD商业化

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2006年,三星电子加载32GB SSD(Sense Q30 +)和Ultra Mobile PC(Sense Q1)的笔记本电脑问世。这是三星电子开辟无硬盘“数字电脑”新市场的重要时刻。

三星电子于2006年实现了SSD商业化

当时,由于考虑成本问题,厂商根本无法想象,普通电脑也可以采用原本用于数码相机、MP3播放器、USB驱动器等设备中的闪存。而三星电子凭借NAND闪存技术,通过强化价格竞争力,将SSD用于普通消费者版笔记本电脑中,使产品容量不亚于使用HDD的30GB / 20GB产品,同时帮助笔记本电脑大幅提升了开机时间。

垂直储存技术推动硬盘容量突破TB级别,引领数据存储革新

垂直存储技术的出现。再一次提高了硬盘的存储密度。在2007年,日立推出的第一款突破TB级容量的硬盘。到2012年,有了第一款4TB硬盘的现身。

垂直储存技术出现于2007年,硬盘随之突破TB级别容量

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垂直录写技术由丹麦科学家Valdemar Poulsen于十九世纪后期开创,而他也被公认为首位通过垂直录写技术用磁带记录声音的人。这种技术由数据位垂直于磁盘平面而得名,其所需空间比现在以水平方式记录的纵向录写技术要小。为了达到准确记录及读写,除了更密集的垂直位外,在读写磁头与录制磁盘之间也需要紧密的配合。

优点:

比旧有的纵向读写技术更稳定。

理论上可有限提升读写速度。

生产的硬盘容量更高。

生产成本更低

1973年,IBM创新推出可容纳30M数据的先驱:IBM3340温彻斯特硬盘

1973年,IBM研制出拥有两个主轴,容量为30 M的IBM 3340 硬盘(温彻斯特硬盘)。这个是第一个使用温彻斯特技术的驱动器。

IBM于1973年研制出拥有两个主轴,容量为30M的IBM3340硬盘(温彻斯特硬盘)

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1973年,ibm研制出一种新型的硬盘ibm 3340,它拥有几个同轴的金属盘片,盘片上涂着磁性材料。这些金属盘片可以和移动的磁头共同密闭封装在一个盒子里面。即使在密闭的封装盒子里磁头也能从旋转的盘片上读出磁信号的变化——IBM 3340可以被称为现代硬盘的祖先。

IBM于1973年研制出拥有两个主轴,容量为30M的IBM3340硬盘(温彻斯特硬盘)

(IBM 3340直接访问存储设备)

IBM 3340最突出的特点就是,它的磁头和盘片不发生接触,这在当时是一个巨大的技术创举。

IBM将该硬盘称之为“温彻斯特”硬盘,其实还有个小小的来历。IBM 3340拥有两个30MB的存储单元(1个为30MB固定存储单元,另一个为30MB移动存储单元),而当时一种很有名的“ 温彻斯特来福枪”的口径和装药也恰好包含了两个数字“30”。于是这种硬盘的内部代号就被定为“温彻斯特”。

IBM于1973年研制出拥有两个主轴,容量为30M的IBM3340硬盘(温彻斯特硬盘)

(IBM 3340拥有2个主轴,分别能存储30MB数据)
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