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折叠界的艺术品:三星Galaxy Z Fold6国行版震撼发布,13999元起

时间:2024-08-14 14:04:57

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编辑:96006资源网

近日消息,三星紧随其全球新品发布会的步伐,于近日在中国盛大召开了Galaxy系列新品发布会,正式将国行版三星Galaxy Z Fold6折叠屏手机带到了国内消费者的面前。

折叠界的艺术品:三星Galaxy Z Fold6国行版震撼发布,13999元起

此次三星再次优化了折叠屏系列产品的便携性,相比上代更轻、更薄、更便于携带。三星 Galaxy Z Fold6 采用直边设计,对称式外观,优化的外屏比例带来了更自然、更接近传统手机的观看体验。双轨铰链结构配合强化的边缘设计,使之可以更好地分散来自外部的冲击力。此外,主屏保护层还能在保持强度的同时改善折痕。

新品采用增强装甲铝边框抗刮痕能力提升了 10%,前后盖板均采用康宁大猩猩 Victus 2 玻璃,使其成为了迄今最为耐用的三星 Galaxy Z 系列产品。

三星 Galaxy Z Fold6 不仅能够提供写作、学习或规划方面的帮助,还可计划旅行行程,获取航班和酒店的预订信息等,甚至还能建议探索目的地的最佳路线。当用户在三星 Galaxy Z Fold6 的大屏幕上观看视频 App 时,还可通过多窗口分屏以创新升级的搜索方式了解更多信息。

比如,用户在观看视频时,对视频中的某一内容感到好奇,只需长按主屏幕按钮并在屏幕上进行圈选,即圈即搜就会将搜索结果直观呈现出来。

附 Galaxy Z Fold6 的完整规格参数:

防尘防水等级:IP48

折叠厚度:12.1mm,展开厚度:5.6mm,重量:239 克

外屏:6.3 英寸 Dynamic AMOLED 2X 显示屏,22.1:9 比例,2376 x 968 分辨率,支持 1-120Hz 自适应刷新率

内屏:7.6 英寸 Dynamic AMOLED 2X Infinity Flex 可折叠显示屏,20.9:18 比例,2160 x 1856 分辨率,支持 1-120Hz 刷新率,最高亮度提升至 2600 尼特

处理器:骁龙 8 Gen 3

内存:12GB RAM

存储:256GB / 512GB / 1TB

后置摄像头:主摄:50MP,双核对焦 (Dual Pixel AF),OIS 光学防抖,f/1.8 光圈,1.0 微米像素,85 度视场角;超广角:12MP,f/2.2 光圈,1.12 微米像素,123 度视场角;长焦:10MP,相位对焦 (PDAF),OIS 光学防抖,3 倍光学变焦,f/2.4 光圈,1.0 微米像素,36 度视场角。

前置摄像头:外屏:10MP,f/2.2 光圈,1.22 微米像素,85 度视场角;内屏:屏下摄像头,4MP,f/1.8 光圈,2.0 微米像素,85 度视场角。

电池:4400mAh 双电芯,支持快速无线充电、无线反向充电以及 25W 有线充电

连接:Wi-Fi 6E、蓝牙 5.3、5G 网络

其他:侧面指纹识别

散热:相比上代产品,散热面积增加 1.6 倍,可显著提升游戏等高负载场景下的持续性能表现

三星 Galaxy Z Fold6 提供星夜银、浅玫粉与冷夜蓝三款配色,还提供时空黑与香草白两款三星商城专属色。售价方面,12+512GB 版售价 13999 元,12+1TB 版售价 15999 元。7 月 17 日 20:00 开始同步预约,7 月 24 日起全渠道开售。

三星平泽P4工厂确认1c nm DRAM内存投资计划,预计明年6月正式投产

三星电子在8月12日披露了一项重大决策,即其位于平泽的P4工厂将推进1c纳米级DRAM内存生产线的投资项目。这项战略投资旨在加速先进存储技术的部署,预计到明年6月,该生产线将正式启动运营,进一步巩固三星在全球内存市场的领先地位。

三星平泽P4工厂确认1c nm DRAM内存投资计划,预计明年6月正式投产

平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心,分为四期。在早前规划中,一期为 NAND 闪存,二期为逻辑代工,三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备,但搁置了二期建设。

而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺,各家的 1c nm(或对应的 1γ nm)产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称,三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。

根据此前报道,三星电子考虑在明年下半年推出的 HBM4 内存上使用 1c nm DRAM 裸片,以更先进的 DRAM 制程提升 HBM4 产品的能效竞争力,追赶 HBM 领域领先者 SK 海力士。

考虑到 HBM 内存对 DRAM 晶圆的消耗量远高于传统内存,平泽 P4 建设 1c nm DRAM 产线也是在为可能的 HBM4 生产需求做好准备。

三星电机牵手AMD,专为超大规模数据中心打造高性能FCBGA基板

近日消息,三星电机宣布其将为AMD提供专为超大规模数据中心设计的高性能FCBGA基板,这一合作标志着在倒装芯片球栅阵列技术领域的一大进展,进一步推动了数据中心硬件性能的界限。

三星电机牵手AMD,专为超大规模数据中心打造高性能FCBGA基板

三星电机在新闻稿中宣称,其已向 FCBGA 基板领域投资了 1.9 万亿韩元(当前约 99.5 亿元人民币)。

三星电机与 AMD 联手开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术,这项技术对 CPU / GPU 应用至关重要,可实现当今超大规模数据中心所需的高密度互联。

与通用计算机基板相比,数据中心基板面积是前者 10 倍、层数是前者 3 倍,对芯片供电与可靠性的要求更高。

三星电机通过其创新的制造工艺解决了大面积基板的翘曲问题,保证了芯片安装时的高良率。

三星电机副总裁兼战略营销主管 Kim Won-taek 表示:

我们已成为 HPC 和 AI 半导体解决方案全球领导者 AMD 的战略合作伙伴。我们将继续投资于先进的基板解决方案,以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求,为 AMD 等客户提供核心价值。

AMD 全球运营制造战略副总裁 Scott Aylor 表示:

AMD 始终走在创新的前沿,以满足客户对性能和效率的需求。我们在芯片技术领域的领先地位让我们能够在 CPU 和数据中心 GPU 产品组合中提供卓越的性能、效率和灵活性。我们与三星电子等合作伙伴的持续投资,将确保我们拥有提供未来 HPC 和 AI 产品所需的先进基板技术和能力。

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